Устройство и принцип действия биполярного транзистора

Биполярный транзистор, это полупроводниковый прибор, у которого имеются два электронно-дырочных перехода, сформированных в одном монокристалле полупроводника. Эти переходы в полупроводнике создают три области с различными формами электропроводности. Одна крайняя часть перехода называется эмиттером Э, другая – коллектором К, а средняя – базой Б. К каждой области отводятся металлические выводы для подключения транзистора в рабочую электрическую цепь.

Электропроводность эмиттера и коллектора противоположна электропроводности базы. В зависимости от последовательности чередования p-и n-областей, транзисторы разделяют на типы со структурой p-n-p и n-p-n переходов.

Структура и условное обозначение биполярного транзистора n-p-n

Условное обозначение p-n-p и n-p-n биполярных транзисторов на схеме, отличается лишь направлением стрелок у эмиттера.

Электронно-дырочный переход, который образован эмиттером транзистора и его базой, называется – «эмиттерным переходом», а переход образованный коллектором и базой соответствующего типа транзистора, называется – «коллекторным переходом».

Структура и условное обозначение биполярного транзистора типа p-n-p