Импульсные полупроводниковые диоды

Тип Значения параметров Предельные значения
f раб.
( f макс.)
МГц
Сд.
пФ
Uпр.
В
при I пр.
мА
I обр.
мкА
U обр. макс.
( U обр. и. макс. )
B
I пр. макс.
( I пр. и. макс.)
мА (А)
Т к. макс.
( Т п.)
°С
КД503Б 2,5 1,2 10 4 30 (30) 20 (0,2) 70
КД504А 20 1,2 100 2 40 160 (1) 100
КД507А 0,8 0,5 5 50 20 16 (0,1) 60
КД508А 0,8 0,4 1 60 8 10 (0,03) 55
КД508Б 0,8 0,4 1 100 8 10 (0,03) 55
КД509А 4 1,1 100 5 50 (70) 100 (1,5) 100
КД510А 4 1,1 200 5 50 (70) 200 (1,5) 85
КД512А 1 1 10 5 15 20 (0,2) 100
КД513А 4 1,1 100 5 50 (70) 100 (1,5) 85
КД514А 0,9 1 10 5 10 10 (0,05) 100
КД518А 0,57 1   100 (1,5) 85
КД519А 4 1,1 100 5 30 (40) 30 (0,3) 85
КД519Б 2,5 1,1 100 5 30 (40) 30 (0,3) 85
КД520А 3 1 20 1 15 (25) 20 (0,05) 100
КД521А 4 1 50 1 75 (100) 50 (0,5) 125
КД521Б 4 1 50 1 60 (85) 50 (0,5) 125
КД521В 4 1 50 1 50 (75) 50 (0,5) 125
КД521Г 4 1 50 1 30 (40) 50 (0,5) 125
КД521Д 4 1 50 1 12 (15) 50 (0,5) 125
КД522А 4 1,1 100 2 12 (15) 100 (1,5) 85
КД522Б 4 1,1 100 5 50 (75) 100 (1,5) 85
КД524А 3 250 24 40 (0,4) 125
КД524Б 2,5 300 30 40 (0,4) 125
КД524В 4 300 15 40 (0,4) 125
КД529А 0,005 3,5 20А 1500 –2000 10А (200) 85
КД529Б 0,005 3,5 20А 1500 –2000 10А (200) 85
КД529В 0,005 3,5 20А 1500 –1600 10А (200) 85
КД529Г 0,005 3,5 20А 1500 –1600 10А (200) 85
КД805А 2 1 100 5 75 (75) 200 (0,45) 125
КД922А 1000 1 1 50 0,5 18 (18) 50 (0,1) 100
КД922Б 1000 1 1 35 0,5 21 (21) 35 (0,07) 100
КД922В 1000 1 0,55 10 0,5 10 (10) 10 (0,02) 100
КД923А 3,6 1 100 5 14 (14) 100 (0,2) 100
КД924А 3 1 150 5 18 (18) 200 (0,4) 100