Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
1Т813А p–n–p 100 100 30 (40) А 1,5 (50) 10,60 16 мА ≥5 –
1Т813Б p–n–p 125 125 30 (40) А 1,5 (50) 10,60 16 мА ≥5 –
1Т813В p–n–p 150 150 30 (40) А 1,5 (50) 10,60 16 мА ≥5 –
2Т709А2 p–n–p 100 100 10 (20) А 1 (30) ≥500 1 мА ≥5 <2
2Т709Б2 p–n–p 80 80 10 (20) А 1 (30) ≥750 1 мА ≥5 <2
2Т709В2 p–n–p 60 60 10 (20) А 1 (30) ≥750 1 мА ≥5 <2
2Т713А n–p–n 2500 2500 З А 50 5,20 1 мА ≥1,5 <1
2Т716АГ n–p–n 100 100 10 (20) А 1 (30) ≥500 1 мА ≥5 <2
2Т716Б1 n–p–n 80 80 10 (20) А 1 (30) ≥750 1 мА ≥5 <2
2Т716В1 n–p–n 60 60 10 (20) А 1 (30) ≥750 1 мА ≥5 <2
2Т812А n–p–n 700 700 10 (17) А 50 ≥5 5 мА ≥3 <2,5
2Т812Б n–p–n 500 500 10 (17) А 50 ≥5 5 мА >3 <2,5
2Т818Б p–n–p 80 80 15 (20) А 3 (100) 20,225 1 мА ≥3 <1
2Т818В p–n–p 60 60 15 (20) А 3 (100) 20,225 1 мА ≥3 <1
2Т819А p–n–p 100 100 15 (20) А 3 (100) 20,225 1 мА ≥3 <1
2Т819Б p–n–p 80 80 15 (20) А 3 (100) 20,225 1 мА ≥3 <1
2Т819В p–n–p 60 60 15 (20) А 3 (100) 20,225 1 мА ≥3 <1
2Т825А p–n–p 100 100 20 (40) А 160 500,18000 1 мА ≥4 <2
2Т825Б p–n–p 80 80 20 (40) А 160 750,18000 1 мА ≥4 <2
2Т825В p–n–p 60 60 20 (40) А 160 750,18000 1 мА ≥4 <2
ГТ313А p–n–p 15 15 30 0,1 20,250 5 ≥300 –
ГТ313Б p–n–p 15 15 30 0,1 20,250 5 ≥450 –
ГТ313В p–n–p 15 15 30 0,1 30,170 5 ≥350 –
ГТ328А p–n–p 15 15 10 0,05 20,200 10 ≥400 7
ГТ328Б p–n–p 15 15 10 0,05 40,200 10 ≥300 7
ГТ328В p–n–p 15 15 10 0,05 10,70 10 ≥300 7