Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
ГТ346А p–n–p 20 20 10 0,05 10,150 10 ≥700 3
ГТ346Б p–n–p 20 20 10 0,05 10,150 10 ≥550 5,5
ГТ346В p–n–p 20 20 10 0,05 15,150 10 ≥550 6
ГТ806А p–n–p 75 75 15 А 2 (30) 10,100 15 мА ≥10 –
ГТ806Б p–n–p 100 100 15 А 2 (30) 10,100 15 мА ≥10 –
ГТ806В p–n–p 120 120 15 А 2 (30) 10,100 15 мА ≥10 –
ГТ806Г p–n–p 50 50 15 А 2 (30) 10,100 15 мА ≥10 –
ГТ806Д p–n–p 140 140 15 А 2 (30) 10,100 15 мА ≥10 –
ГТ905А p–n–p 75 75 3 (7) А 6 35,100 20 мА ≥60 –
ГТ905Б p–n–p 60 60 3 (7) А 6 35,100 20 мА ≥60 –
ГТ906А (М) p–n–p 75 75 6А 15 30,150 8 мА ≥30 –
КТ117А n–база 30 30 50 (1 А) 0,3 0,5 0,7 1 0,2 –
КТ117Б n–база 30 30 50 (1 А) 0,3 0,65 0,9 1 0,2 –
КТ117В n–база 30 30 50 (1 А) 0,3 0,5 0,7 1 0,2 –
КТ201Б (М) n–p–n 20 20 20 (100) 0,15 30,90 1 ≥10 –
КТ201В (М) n–p–n 10 10 20 (100) 0,15 30,90 1 ≥10 –
КТ201Г (М) n–p–n 10 10 20 (100) 0,15 70,210 1 ≥10 –
КТ201Д (М) n–p–n 10 10 20 (100) 0,15 30,90 1 ≥10 15
КТ203А (М) p–n–p 60 60 10 (50) 0,15 ≥9 1 ≥5 –
КТ203Б (М) p–n–p 30 30 10 (50) 0,15 30,150 1 ≥5 –
КТ203В (М) p–n–p 15 15 10 (50) 0,15 30,200 1 ≥5 –
КТ208А (1) p–n–p 20 20 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5 –
КТ208Б (1) p–n–p 20 20 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5 –
КТ208В (1) p–n–p 20 20 300 (500) 0,2 80,240 1 ≥5 4
КТ208Г (1) p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5 –
КТ208Д (1) p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5 –