Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ3102А (М) n–p–n 50 50 100 (200) 0,25 100,200 0,05 ≥150 10
КТ3102Б (М) n–p–n 50 50 100 (200) 0,25 200,500 0,05 ≥150 10
КТ3102В (М) n–p–n 30 30 100 (200) 0,25 200,500 0,015 ≥150 10
КТ3102Г (М) n–p–n 20 20 100 (200) 0,25 400,1000 0,015 ≥150 10
КТ3102Д (М) n–p–n 30 30 100 (200) 0,25 200,500 0,015 ≥150 4
КТ3102Е (М) n–p–n 20 20 100 (200) 0,25 400,1000 0,015 ≥150 4
КТ3102Ж (М) n–p–n 20 20 100 (200) 0,25 100,250 0,05 ≥150 –
КТ3102И (М) n–p–n 20 20 100 (200) 0,25 200,500 0,05 ≥150 –
КТ3107А p–n–p 50 45 100 (200) 0,3 70,140 0,1 ≥200 10
КТ3107Б p–n–p 50 45 100 (200) 0,3 120,220 0,1 ≥200 10
КТ3107Г p–n–p 30 25 100 (200) 0,3 120,220 0,1 ≥200 10
КТ3107Д p–n–p 30 25 100 (200) 0,3 180,460 0,1 ≥200 10
КТ3107Е p–n–p 25 20 100 (200) 0,3 120,220 0,1 ≥200 4
КТ3107Ж p–n–p 25 20 100 (200) 0,3 180,460 0,1 ≥200 4
КТ3107И p–n–p 50 45 100 (200) 0,3 180,460 0,1 ≥200 10
КТ3107К p–n–p 30 25 100 (200) 0,3 380,800 0,1 ≥200 10
КТ3107Л p–n–p 25 20 100 (200) 0,3 380,800 0,1 ≥200 4
КТ3108А p–n–p 60 60 200 0,3 50,150 0,2 ≥250 6
КТ3108Б p–n–p 45 45 200 0,3 50,150 0,2 ≥250 6
КТ3108В p–n–p 45 45 200 0,3 100,300 0,2 ≥300 6
КТ3109А p–n–p 30 25 50 0,17 ≥20 0,1 ≥800 6
КТ3109Б p–n–p 25 20 50 0,17 ≥20 0,1 ≥300 7
КТ3109В p–n–p 25 20 50 0,17 ≥15 0,1 ≥600 8
КТ3115А – 2 n–p–n 10 10 8,5 0,07 ≥15 0,5 ≥5800 5
КТ3115В – 2 n–p–n 10 10 8,5 0,07 ≥15 0,5 ≥5800 6
КТ3117А (1) n–p–n 60 60 400 (800) 0,3 40,200 10 ≥200 –