Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В
UКЭО(и)
В
I к. макс. (и)
мА
P к. макс. (т)
Вт
h21э I КБО
мкА
f гр.
МГц
К ш.
дБ
КТ208Е (1) p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 80,240 1 ≥5 4
КТ208Ж (1) p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ208И (1) p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ208К (1) p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 80,240 1 ≥5 4
КТ208Л (1) p–n–p 60 60 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ208М (1) p–n–p 60 60 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ209А p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ209Б p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ209Б1 p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 ≥12 1 ≥5
КТ209В p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 80,240 1 ≥5 5
КТ209В1 p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 ≥30 1 ≥5 5
КТ209В2 p–n–p 15 15 300 (500) 0,2 ≥200 1 ≥5 5
КТ209Г p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ209Д p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ209Е p–n–p 30 30 300 (500) 0,2 80,240 1 ≥5 5
КТ209Ж p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ209И p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ209К p–n–p 45 45 300 (500) 0,2 80,160 1 ≥5 5
КТ209Л p–n–p 60 60 300 (500) 0,2 20,60 1 ≥5
КТ209М p–n–p 60 60 300 (500) 0,2 40,120 1 ≥5
КТ306Б (М) n–p–n 15 10 30 (50) 0,15 40,120 0,5 ≥500
КТ306В (М) n–p–n 15 10 30 (50) 0,15 20,100 0,5 ≥300
КТ306Г (М) n–p–n 15 10 30 (50) 0,15 40,200 0,5 ≥500
КТ306Д (М) n–p–n 15 10 30 (50) 0,15 30,150 0,5 ≥200
КТ3101А – 2 n–p–n 15 15 20 (40) 0,1 35,300 0,5 ≥4000 4,5
КТ3102К (М) n–p–n 20 20 100 (200) 0,25 200,500 0,015 ≥150