Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ3117Б n–p–n 75 75 400 (800) 0,3 100,300 10 ≥200 –
КТ3120А n–p–n 15 15 20 (40) 0,1 ≥15 0,5 ≥1800 2
КТ3123А – 2 p–n–p 15 15 30 (50) 0,15 ≥40 0,01 ≥5000 2,4
КТ3123Б – 2 p–n–p 15 15 30 (50) 0,15 ≥40 0,01 ≥5000 3
КТ3123В – 2 p–n–p 10 10 30 (50) 0,15 ≥40 0,01 ≥5000 2,4
КТ3126А p–n–p 20 20 20 0,15 25,100 1 ≥500 5
КТ3126Б p–n–p 20 20 20 0,15 60,180 1 ≥500 5
КТ3127А p–n–p 20 20 25 0,1 25,150 1 ≥600 5
КТ3128А (1) p–n–p 40 40 20 0,1 15,150 1 ≥800 –
КТ3129А – 9 p–n–p 50 50 100 (200) 0,075 30,120 1 ≥200 –
КТ3129Б – 9 p–n–p 50 50 100 (200) 0,075 80,250 1 ≥200 –
КТ3129В – 9 p–n–p 30 30 100 (200) 0,075 80,250 1 ≥200 –
КТ3129Г – 9 p–n–p 30 30 100 (200) 0,075 200,500 1 ≥200 –
КТ3129Д – 9 p–n–p 20 20 100 (200) 0,075 200,500 1 ≥200 –
КТ312А n–p–n 20 20 30 (60) 0,225 10,100 10 ≥280 –
КТ312Б n–p–n 35 35 30 (60) 0,225 25,100 10 ≥120 –
КТ312В n–p–n 20 20 30 (60) 0,225 50, 280 10 ≥120 –
КТ3130А – 9 n–p–n 50 50 100 0,1 100,250 0,1 ≥150 10
КТ3130Б – 9 n–p–n 50 50 100 0,1 200,500 0,1 ≥150 10
КТ3130В – 9 n–p–n 30 30 100 0,1 200,500 0,1 ≥150 10
КТ3130Г – 9 n–p–n 20 20 100 0,1 400,1000 50,1 ≥150 10
КТ3130Д – 9 n–p–n 30 30 100 0,1 200,500 0,1 ≥150 10
КТ3130Е – 9 n–p–n 20 20 100 0,1 400,1000 0,1 ≥150 4
КТ3130Ж – 9 n–p–n 30 30 100 0,1 100,500 0,1 ≥150 4
КТ313А (М) p–n–p 60 60 350 (700) 0,3 30,120 0,5 ≥200 –
КТ313Б (М) p–n–p 60 60 350 (700) 0,3 80,300 0,5 ≥200 –