Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ3157А p–n–p 250 250 30 (100) 0,2 ≥50 0,1 ≥60 –
КТ315Н n–p–n 20 20 100 0,1 50,350 0,6 ≥250 –
КТ315А n–p–n 25 25 100 0,15 30,120 0,5 ≥250 –
КТ315Б n–p–n 20 20 100 0,15 50,350 0,5 ≥250 –
КТ315В n–p–n 40 40 100 0,15 30,120 0,5 ≥250 –
КТ315Г n–p–n 35 35 100 0,15 50,350 0,5 ≥250 –
КТ315П n–p–n 35 35 100 0,15 100,350 0,5 ≥250 –
КТ315Д n–p–n 40 40 100 0,15 20,90 0,6 ≥250 –
КТ315Е n–p–n 35 35 100 0,15 50,350 0,6 ≥250 –
КТ315Ж n–p–n 20 20 50 0,1 30,250 0,01 ≥250 –
КТ315И n–p–n 60 60 50 0,1 ≥30 0,1 ≥250 –
КТ315Р n–p–n 35 35 100 0,1 150,350 0,5 ≥250 –
КТ3168А – 9 n–p–n 15 15 28 (56) 0,18 60,180 0,5 ≥3000 3
КТ316А (М) n–p–n 10  10 50 0,15 20,60 0,5 ≥600 –
КТ316Б (М) n–p–n 10 10 50 0,15 40,120 0,5 ≥800 –
КТ316В (М) n–p–n 10 10 50 0,15 40,120 0,5 >800 –
КТ316Г (М) n–p–n 10 10 50 0,15 20,100 0,5 ≥600 –
КТ316Д (М) n–p–n 10 10 50 0,15 60,300 0,5 ≥800 –
КТ325А (М) n–p–n 15 15 30 (60) 0,225 30,90 0,5 ≥800 –
КТ325Б (М) n–p–n 15 15 30 (60) 0,225 70,210 0,5 ≥800 –
КТ325В (М) n–p–n 15 15 30 (60) 0,225 160,400 0,5 ≥1000 –
КТ326А (М) p–n–p 20 15 50 0,2 20,70 0,5 ≥250 –
КТ326Б (М) p–n–p 20 15 50 0,2 45,160 0,5 ≥400 –
КТ339А (М) n–p–n 40 25 25 0,26 ≥25 1 ≥300 –
КТ339Б n–p–n 25 15 25 0,26 ≥15 1 ≥250 –
КТ339В n–p–n 40 25 25 0,26 ≥25 1 ≥450 –