Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ339Г n–p–n 40 25 25 0,26 ≥40 1 ≥250 –
КТ339Д n–p–n 40 25 25 0,26 ≥15 1 ≥250 –
КТ342А (М) n–p–n 25 30 50 (300) 0,25 100,250 0,05 ≥250 –
КТ342Б (М) n–p–n 20 25 50 (300) 0,25 200,500 0,05 ≥300 –
КТ342В (М) n–p–n 10 10 50 (300) 0,25 400,1000 0,05 ≥300 –
КТ342ГМ n–p–n 25 30 50 (300) 0,25 100,250 0,05 ≥200 –
КТ342ДМ n–p–n 20 25 50 (300) 0,25 200,500 0,05 ≥200 –
КТ345А p–n–p 20 20 200 (300) 0,3 ≥20 0,5 ≥350 –
КТ345Б p–n–p 20 20 200 (300) 0,3 ≥50 0,5 ≥350 –
КТ345В p–n–p 20 20 200 (300) 0,3 ≥70 0,5 ≥350 –
КТ347А p–n–p 15 15 50 (110) 0,15 30,400 1 ≥500 –
КТ347Б p–n–p 9 9 50 (110) 0,15 30,400 1 ≥500 –
КТ347В p–n–p 6 6 50 (110) 0,15 50,400 1 ≥200 –
КТ349А p–n–p 20 15 50 (100) 0,2 20,80 1 ≥300 –
КТ349Б p–n–p 20 15 50 (100) 0,2 40,160 1 ≥300 –
КТ349В p–n–p 20 15 50 (100) 0,2 120,300 1 ≥300 –
КТ350А p–n–p 20 20 600 0,3 20,200 1 ≥100 –
КТ351А p–n–p 20 15 – 400 0,3 20,80 1 ≥200 –
КТ351Б p–n–p 20 15 – 400 0,3 50,200 1 ≥200 –
КТ352А p–n–p 20 15 – 200 0,3 25,125 1 ≥200 –
КТ352Б p–n–p 20 15 – 200 0,3 70,300 1 ≥200 –
КТ355АМ n–p–n 15 15 30 (60) 0,225 80,300 0,5 ≥1500 5,5
КТ361А p–n–p 25 25 100 0,15 20,90 1 ≥250 –
КТ361Б p–n–p 20 20 100 0,15 50,350 1 ≥250 –
КТ361В p–n–p 40 40 100 0,15 40,160 1 ≥250 –
КТ361Г p–n–p 35 35 100 0,15 50,350 1 ≥250 –