Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ361Г1 p–n–p 35 35 100 0,15 100,350 1 ≥250 –
КТ361Д p–n–p 40 40 50 0,15 20,90 1 ≥250 –
КТ361Е p–n–p 35 35 50 0,15 50,350 1 ≥250 –
КТ361И p–n–p 15 15 50 0,15 ≥250 1 ≥250 –
КТ361К p–n–p 60 60 50 0,15 50,350 1 ≥250 –
КТ363А (М) p–n–p 15 15 30 (50) 0,15 20,120 0,5 ≥1000 –
КТ363Б (М) p–n–p 15 12 30 (50) 0,15 40,120 0,5 ≥1500 –
КТ368А (М) n–p–n 15 15 30 (60) 0,225 50,450 0,5 ≥900 3,3
КТ371А n–p–n 10 10 20 (40) 0,1 30,240 0,5 ≥3000 5
КТ372А n–p–n 15 15 10 0,05 ≥10 0,5 ≥2400 3,5
КТ372Б n–p–n 15 15 10 0,05 ≥10 0,5 ≥3000 5,5
КТ382А (М) n–p–n 15 10 20 (40) 0,1 40,330 0,5 ≥1800 3
КТ382Б (М) n–p–n 15 10 20 (40) 0,1 40,330 0,5 ≥1800 4,5
КТ391А – 2 n–p–n 15 10 10 0,07 ≥20 0,5 ≥5000 4,5
КТ391Б – 2 n–p–n 15 10 10 0,07 ≥20 0,6 ≥5000 5,5
КТ399А n–p–n 15 15 20 (40) 0,15 ≥40 0,5 ≥21800 2
КТ399АМ n–p–n 15 15 30 (60) 0,15 ≥40 0,5 ≥21800 2
КТ501А p–n–p 15 15 300 (500) 0,35 20,60 1 ≥5 –
КТ501Б p–n–p 15 15 300 (500) 0,35 40,120 1 ≥5 –
КТ501В p–n–p 15 15 300 (500) 0,35 80,240 1 >5 4
КТ501Г p–n–p 30 30 300 (500) 0,35 20,60 1 ≥5 –
КТ501Д p–n–p 30 30 300 (500) 0,35 40,120 1 ≥5 –