Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ602А (М) n–p–n 120 100 75 (500) 0,85 (2,8) 20,80 70 ≥150 –
КТ602Б (М) n–p–n 120 100 75 (500) 0,85 (2,8) 50,200 70 ≥150 –
КТ602В n–p–n 80 80 75 (300) 0,85 (2,8) 15,80 70 ≥150 –
КТ602Г n–p–n 80 80 75 (300) 0,85 (2,8) 250 70 ≥150 –
КТ603А n–p–n 30 30 300 (600) 0,5 10,80 10 ≥200 <1
КТ603Б n–p–n 30 30 300 (600) 0,5 ≥60 10 ≥200 <1
КТ603В n–p–n 15 15 300 (600) 0,5 10,80 5 ≥200 <1
КТ603Г n–p–n 15 15 300 (800) 0,5 ≥60 5 ≥200 <1
КТ603Д n–p–n 10 10 300 (600) 0,5 20,80 1 ≥200 <1
КТ603Е n–p–n 10 10 300 (600) 0,5 60,200 1 ≥200 <1
КТ603И n–p–n 30 30 300 (600) 0,5 ≥20 10 ≥200 <1
КТ604А (М) n–p–n 300 250 200 0,8 (3) 10,40 20 ≥40 <8
КТ604Б (М) n–p–n 300 250 200 0,8 (3) 30,120 20 ≥40 <8
КТ6О5А (М) n–p–n 300 250 100 (200) 0,4 10,40 20 ≥40 <8
КТ605Б (М) n–p–n 300 250 100 (200) 0,4 30,120 20 ≥40 <8
КТ608Б n–p–n 60 (80) 60 (80) 400 (800) 0,5 40,160 10 ≥200 <1
КТ611БМ n–p–n 200 180 100 0,8 (3) 30,120 100 ≥60 <0,8
КТ6127А p–n–p 90 90 2 А 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,15
КТ6127Б p–n–p 70 70 2 А 0,8 ≥30 20 ≥200 0,15
КТ6127В p–n–p 50 50 2 А 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,3
КТ6127Г p–n–p 30 30 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,3
КТ6127Д p–n–p 20 12 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,3
КТ6127Е p–n–p 10 12 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,3
КТ6127Ж p–n–p 120 120 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,2
КТ6127И p–n–p 160 160 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,2
КТ6127К p–n–p 200 200 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,25