Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ626А p–n–p 45 45 0,5 (1,5) A 6,5 40,250 10 ≥75 <1
КТ626Б p–n–p 60 60 0,5 (1,5) A 6,5 30,100 50 ≥75 <1
КТ626В p–n–p 80 80 0,5 (1,5) A 6,5 40,120 50 ≥45 <1
КТ626Г p–n–p 20 20 0,5 (1,5) A 6,5 15,60 150 ≥45 <1
КТ626Д p–n–p 20 20 0,5 (1,5) A 6,5 40,250 150 ≥45 <1
КТ630А n–p–n 120 120 1 (2) A 0,8 40,120 1 ≥50 <0,3
КТ630Б n–p–n 120 120 1 (2) A 0,8 80,240 1 ≥50 <0,3
КТ630В n–p–n 150 150 1 (2) A 0,8 40,120 1 ≥50 <0,3
КТ630Г n–p–n 100 100 1 (2) A 0,8 40,120 1 ≥50 <0,3
КТ630Д n–p–n 60 60 1 (2) A 0,8 80,240 1 ≥50 <0,3
КТ630Е n–p–n 60 60 1 (2) A 0,8 160,480 1 ≥50 <0,3
КТ639А p–n–p 45 45 1,5 (2) A 1 (12,5) 40,100 0,1 ≥80 <0,5
КТ639Б p–n–p 45 45 1,5 (2) A 1 (12,5) 63,160 0,1 ≥80 <0,5
КТ639В p–n–p 45 45 1,5 (2) A 1 (12,5) 100,250 0,1 ≥80 <0,5
КТ639Г p–n–p 60 60 1,5 (2) A 1 (12,5) 40,100 0,1 ≥80 <0,5
КТ639Д p–n–p 60 60 1,5 (2) A 1 (12,5) 63,160 0,1 ≥80 <0,5
КТ639Е p–n–p 100 100 1,5 (2) A 1 40,100 0,1 ≥80 <0,5
КТ639И p–n–p 30 30 1,5 (2) A 1 180,400 0,1 ≥80 <0,5
КТ644А p–n–p 60 60 0,6 (1) A 1 (12,5) 40,120 1 ≥200 <0,4
КТ644Б p–n–p 60 60 0,6 (1) A 1 (12,5) 100,300 1 ≥200 <0,4
КТ644В p–n–p 60 40 0,6 (1) A 1 (12,5) 40,120 1 ≥200 <0,4
КТ644Г p–n–p 60 40 0,6 (1) A 1 (12,5) 100,300 1 ≥200 <0,4
КТ645А n–p–n 60 60 300 (600) 0,5 (1) 20,200 10 ≥200 <0,5
КТ645Б n–p–n 40 40 300 (600) 0,5 80 10 ≥200 <0,5
КТ646А n–p–n 60 60 1 (1 ,2) A 1 (2,5) 40,200 10 ≥200 <0,85
КТ646Б n–p–n 40 40 1 (1,2) A 1 (2,5) 150,200 10 ≥200 <0,85