Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ501Е p–n–p 30 30 300 (500) 0,35 80,240 1 ≥5 4
КТ501Ж p–n–p 45 45 300 (500) 0,35 20,60 1 ≥5 –
КТ501И p–n–p 45 45 300 (500) 0,35 40,120 1 ≥5 –
КТ501К p–n–p 45 45 300 (500) 0,35 80,240 1 ≥5 4
КТ501Л p–n–p 60 60 300 (500) 0,35 20,60 1 ≥5 –
КТ501М p–n–p 60 60 300 (500) 0,35 40,120 1 >5 –
КТ502А p–n–p 40 25 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ502Б p–n–p 40 25 150 (350) 0,35 80,240 1 ≥350 –
КТ502В p–n–p 60 40 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ502Г p–n–p 60 40 150 (350) 0,35 80,240 1 ≥350 –
КТ502Д p–n–p 80 60 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ502Е p–n–p 90 60 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ503А n–p–n 40 25 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ503В n–p–n 40 25 150 (350) 0,35 80,240 1 ≥350 –
КТ503В n–p–n 60 40 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ503Г n–p–n 60 40 150 (350) 0,35 80, 240 1 ≥350 –
КТ503Д n–p–n 80 60 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ503Е n–p–n 100 60 150 (350) 0,35 40,120 1 ≥350 –
КТ504А n–p–n 400 350 1 (2) А 1 (10) 15,100 100 ≥20 –
КТ504Б n–p–n 250 200 1 (2) А 1 (10) 15,100 100 ≥20 –
КТ504В n–p–n 300 275 1 (2) А 1 (10) 15,100 100 ≥20 –
КТ505А p–n–p 300 300 1 (2) А 1 (10) 25,140 100 ≥20 –
КТ505Б p–n–p 250 250 1 (2) А 1 (10) 25,140 100 ≥20 –
КТ506А n–p–n 800 600 2 (5) А 0,8 (10) 30,150 1 мА ≥10 –
КТ506Б n–p–n 600 600 2 (5) А 0,8 (10) 30,150 1 мА ≥10 –
КТ601А (М) n–p–n 100 100 30 0,25 (0,5) 216 50 ≥40 –