Биполярные транзисторы
|
|||||||||
Тип | Структура | U КБО(и) В |
UКЭО(и) В |
I к. макс. (и) мА |
P к. макс. (т) Вт |
h21э | I КБО мкА |
f гр. МГц |
К ш. дБ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КТ501Е | p–n–p | 30 | 30 | 300 (500) | 0,35 | 80,240 | 1 | ≥5 | 4 |
КТ501Ж | p–n–p | 45 | 45 | 300 (500) | 0,35 | 20,60 | 1 | ≥5 | – |
КТ501И | p–n–p | 45 | 45 | 300 (500) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥5 | – |
КТ501К | p–n–p | 45 | 45 | 300 (500) | 0,35 | 80,240 | 1 | ≥5 | 4 |
КТ501Л | p–n–p | 60 | 60 | 300 (500) | 0,35 | 20,60 | 1 | ≥5 | – |
КТ501М | p–n–p | 60 | 60 | 300 (500) | 0,35 | 40,120 | 1 | >5 | – |
КТ502А | p–n–p | 40 | 25 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ502Б | p–n–p | 40 | 25 | 150 (350) | 0,35 | 80,240 | 1 | ≥350 | – |
КТ502В | p–n–p | 60 | 40 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ502Г | p–n–p | 60 | 40 | 150 (350) | 0,35 | 80,240 | 1 | ≥350 | – |
КТ502Д | p–n–p | 80 | 60 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ502Е | p–n–p | 90 | 60 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ503А | n–p–n | 40 | 25 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ503В | n–p–n | 40 | 25 | 150 (350) | 0,35 | 80,240 | 1 | ≥350 | – |
КТ503В | n–p–n | 60 | 40 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ503Г | n–p–n | 60 | 40 | 150 (350) | 0,35 | 80, 240 | 1 | ≥350 | – |
КТ503Д | n–p–n | 80 | 60 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ503Е | n–p–n | 100 | 60 | 150 (350) | 0,35 | 40,120 | 1 | ≥350 | – |
КТ504А | n–p–n | 400 | 350 | 1 (2) А | 1 (10) | 15,100 | 100 | ≥20 | – |
КТ504Б | n–p–n | 250 | 200 | 1 (2) А | 1 (10) | 15,100 | 100 | ≥20 | – |
КТ504В | n–p–n | 300 | 275 | 1 (2) А | 1 (10) | 15,100 | 100 | ≥20 | – |
КТ505А | p–n–p | 300 | 300 | 1 (2) А | 1 (10) | 25,140 | 100 | ≥20 | – |
КТ505Б | p–n–p | 250 | 250 | 1 (2) А | 1 (10) | 25,140 | 100 | ≥20 | – |
КТ506А | n–p–n | 800 | 600 | 2 (5) А | 0,8 (10) | 30,150 | 1 мА | ≥10 | – |
КТ506Б | n–p–n | 600 | 600 | 2 (5) А | 0,8 (10) | 30,150 | 1 мА | ≥10 | – |
КТ601А (М) | n–p–n | 100 | 100 | 30 | 0,25 (0,5) | 216 | 50 | ≥40 | – |
|