Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ808БМ n–p–n 100 (160) 100 (160) 10 A 60 20,125 2 мА ≥8 <2,5
КТ808ВМ n–p–n 80 (135) 80 (135) 10 A 60 20,125 2 мА ≥8 <2,5
КТ808ГМ n–p–n 70 (80) 70 (80) 10 A 60 20,125 2 мА ≥8 <2,5
КТ809А n–p–n 400 400 3 (5) A 40 15,100 3 мА ≥5,1 <1,5
КТ8101А n–p–n 200 160 16 A 150 ≥20 2 мА ≥10 <2
КТ8101Б n–p–n 160 120 16 A 150 ≥20 <2 мА ≥10 <2
КТ8102А p–n–p 200 160 16 A 150 ≥20 <2 мА ≥10 <2
КТ8102Б p–n–p 180 120 16 A 150 ≥20 <2 мА ≥10 <2
КТ8104А n–p–n 350 350 20 (25) A 150 ≥1000 5 мА ≥10 <2,2
КТ8105А n–p–n 200 200 20 (25)A 150 ≥1000 5 мА ≥10 <2,2
КТ8106А n–p–n 90 80 20 (30) A 125 750,10000 5 мА ≥4 <2
КТ8106Б n–p–n 80 45 20 (30) A 125 750,10000 5 мА ≥4 <2
КТ8107А n–p–n 1500 700 8 (15) A 100 ≥2,25 1 мА ≥7 <1
КТ8107Б n–p–n 1500 700 5 (7,5) A 125 ≥2,25 1 мА ≥7 <1
КТ8107В n–p–n 1500 600 5 (8) A 50 8,12 1 мА ≥7 <5
КТ8108А n–p–n 850 500 5 (7) A 70 10,50 2 мА ≥5 <1
КТ8108Б n–p–n 850 500 5 (7) A 70 40,80 2 мА ≥5 <1
КТ8109А n–p–n 350 350 7 (10) A 80 ≥150 1 мА ≥7 <1,5
КТ8109Б n–p–n 300 300 7 (10) A 80 ≥150 1 мА ≥7 <1,5
КТ8110В n–p–n 500 450 7 (14) A 60 ≥15 2 мА 20 <0,8
КТ8110А n–p–n 500 450 7 (14) A 60 15,30 2 мА 20 <0,8
КТ8110Б n–p–n 500 450 7 (14) A 60 ≥15 2 мА 20 <0,8
КТ8111А n–p–n 100 50 20A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ8111Б n–p–n 80 40 20A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ8111В n–p–n 60 30 20A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ8114А n–p–n 700 700 8 (15) A 125 – 100 ≥7 <1