Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ660А n–p–n 50 50 800 0,5 110,220 1 ≥200 <0,5
КТ660Б n–p–n 30 30 800 0,5 200,450 1 ≥200 <0,5
КТ663А n–p–n 150 150 1 (2) A 1,2 (8) 40,120 1 ≥50 <0,45
КТ668А p–n–p 50 45 100 (200) 0,5 75,140 15 ≥200 >0,3
КТ668Б p–n–p 50 45 100 (200) 0,5 125,250 15 ≥200 <0,3
КТ668В p–n–p 50 45 100 (200) 0,5 220,475 15 ≥200 <0,3
КТ680А n–p–n 30 25 0,6 (2) A 0,35 85, 300 10 ≥120 <0,5
КТ681А p–n–p 30 25 0,6 (2) A 0,35 85,300 10 ≥120 <0,2
КТ6836 n–p–n 120 120 1 (2) A 1,2 (8) 80,240 1 ≥50 <0,45
КТ683В n–p–n 120 120 1 (2) A 1,2 (8) 40,120 1 ≥50 <0,45
КТ683Г n–p–n 100 100 1 (2) A 1,2 (8) 40,120 1 ≥50 <0,45
КТ683Д n–p–n 60 60 1 (2) A 1,2 (8) 80,240 1 ≥50 <0,45
КТ683Е n–p–n 60 60 1 (2) A 1,2 (8) 160,480 1 ≥50 <0,45
КТ684А p–n–p 45 45 1 (1 ,5) A 0,8 40, 250 0,1 ≥40 <0,5
КТ684Б p–n–p 60 60 1 (1 ,5) A 0,8 40,160 0,1 ≥40 <0,5
КТ684В p–n–p 100 100 1 (1,5) A 0,8 40,160 0,1 ≥40 <0,5
КТ685А p–n–p 60 40 0,6 A 0,6 40,120 0,02 ≥200 <0,4
КТ685Б p–n–p 60 60 0,6 A 0,6 40,120 0,01 ≥200 <0,4
КТ685В p–n–p 60 40 0,6 A 0,6 100,300 0,02 ≥200 0,4
КТ685Г p–n–p 60 60 0,6 A 0,6 100,300 0,01 ≥200 <0,A
КТ685Д p–n–p 30 25 0,6 A 0,6 70,200 0,02 ≥300 <0,3
КТ685Е p–n–p 30 25 0,6 A 0,6 40,120 0,02 ≥250 <0,3
КТ685Ж p–n–p 30 25 0,6 A 0,6 100,300 0,02 ≥250 <0,3
KT686F p–n–p 30 25 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 250,630 0,1 ≥100 <0,7
КТ686А p–n–p 50 45 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 100,250 0,1 ≥100 0,7
КТ686Б p–n–p 50 45 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 160,400 0,1 ≥100 <0,7