Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ686В p–n–p 50 45 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 250,630 0,1 ≥100 <0,7
КТ686Г p–n–p 30 25 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 100,250 0,1 ≥100 <0,7
КТ686Д p–n–p 30 25 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 160,400 0,1 ≥100 <0,7
КТ686Ж p–n–p 30 25 0,8 (1,5) A 0,625 (1,4) 100,250 0,1 ≥100 <0,7
КТ695А n–p–n 30 25 30 0,45 50,200 0,1 ≥300 <0,4
КТ698А n–p–n 90 90 2 A 0,8 ≥20 20 ≥200 <0,25
КТ698Г n–p–n 30 30 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,2
КТ698Д n–p–n 12 12 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,2
КТ698Е n–p–n 12 12 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,12
КТ698Ж n–p–n 120 120 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,25
КТ698И n–p–n 160 160 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,3
КТ698К n–p–n 200 200 2 A 0,8 ≥30 20 ≥200 <0,35
КТ69ВБ n–p–n 70 70 2 A 0,8 ≥20 20 ≥200 <0,25
KT6S8B n–p–n 50 50 2 A 0,8 ≥50 20 ≥200 <0,25
КТ710А n–p–n – 3000 – 3000 5 (7,5) A 50 ≥3,5 2 мА ≥1,5 <3,5
КТ801А n–p–n 80 80 2 A 5 15,50 10 мА ≥10 <2
КТ801Б n–p–n 60 60 2 A 5 30,150 10 мА ≥10 <2
КТ802А n–p–n 150 130 5 A 50 ≥15 60 мА ≥10 <5
КТ803А n–p–n 60 – 80 10 A 60 10,70 5 мА ≥20 <2,5
КТ805АМ n–p–n 60 (160) 60 (160) 5 (8) A 30 ≥15 (25) мА ≥20 <2,5
КТ805ВМ n–p–n 60 (135) 60 (135) 5 (8) A 30 ≥15 (25) мА ≥20 <2,5
КТ805ИМ n–p–n 60 (135) 60 (135) 5 (8) A 30 ≥15 (25) мА ≥20 <2,5
КТ807А n–p–n 100 100 0,5 (1,5) A 10 15,45 <5 мА ≥5 <1
КТ807Б n–p–n 100 100 0,5 (1,5) A 10 30,100 5 мА ≥5 <1
КТ808А n–p–n 120 (250) 120 (250) 10 A 5 (50) 10,50 3 мА ≥7,2 <2,5
КТ808АМ n–p–n 120 (250) 120 (250) 10 A 60 20,125 2 мА ≥8 <2,5