Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ8136А n–p–n 600 400 10 (15) A 60 10,50 <2 мА ≥7 <1
КТ8140А n–p–n 400 200 7 (10) A 60 ≥10 2 мА ≥7 <1
КТ814В p–n–p 70 60 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ814А p–n–p 40 25 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ814Б p–n–p 50 40 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ814Г p–n–p 100 80 1,5 (3) A 1 (10) 30,275 50 ≥3 <0,6
КТ815А n–p–n 40 30 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ815Б n–p–n 50 45 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ815В n–p–n 70 65 1,5 (3) A 1 (10) 40,275 50 ≥3 <0,6
КТ815Г n–p–n 100 85 1,5 (3) A 1 (10) 30,275 50 ≥3 <0,6
КТ816А p–n–p 40 40 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <1
КТ816А2 p–n–p 40 40 3 (6) A 1 (25) ≥200 100 ≥3 <0,6
КТ816Б p–n–p 45 45 3 (6) A 1 (25) 25, 275 100 ≥3 <1
КТ816В p–n–p 80 60 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <1
КТ816Г p–n–p 100 90 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <1
КТ817А n–p–n 40 40 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <0,6
КТ817Б n–p–n 45 45 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <0,6
КТ817Б2 n–p–n 45 45 3 (6) A 1 (25) ≥100 100 ≥3 <0,12
КТ817В n–p–n 60 60 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <0,6
КТ817Г n–p–n 100 90 3 (6) A 1 (25) 25,275 100 ≥3 <0,6
КТ817Г2 n–p–n 100 90 3 (6) A 1 (25) ≥100 100 ≥3 <0,12
КТ818А p–n–p 40 40 10 (15) A 1,5 (60) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ818АМ p–n–p 40 40 15 (20) A 2 (100) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ818Б p–n–p 50 50 10 (15) A 1,5 (60) 20, 225 1 мА ≥3 <2
КТ818БМ p–n–p 50 50 15 (20) A 2 (100) 20,225 1 мА ≥3 <2
КТ818В p–n–p 70 70 10 (15) A 1,5 (80) 15,225 1 мА ≥3 <2