Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ8114Б n–p–n (1500) 700 (1500) 70) 8 (15) A 125 – 100 ≥7 <5
КТ8116А n–p–n 100 100 8 (16) A 65 ≥1000 10 ≥7 <2
КТ8116Б n–p–n 80 80 8 (16) A 65 ≥1000 10 ≥7 <2
КТ8117А n–p–n 500 400 10 (15) A 100 >10 1 мА ≥4 <1,5
КТ8118А n–p–n 900 800 3 (10) A 50 10,40 1 мА ≥15 <2
КТ8118Б n–p–n 60 60 8 (16) A 65 ≥1000 10 ≥7 <2
КТ8120А n–p–n 600 450 8 (16) A 60 ≥10 1 мА ≥20 <1
КТ8121А n–p–n 700 400 4 (8) A 75 8,60 1 мА ≥4 <1
КТ8121Б n–p–n 600 300 4 (8) A 75 8,60 1 мА   ≥4 <1
КТ8123А n–p–n 200 150 2 (3) A 25 ≥40 1 мА ≥5 <1
КТ8124А n–p–n 400 200 7 (15) A 60 ≥10 1 мА ≥10 <1
КТ8124Б n–p–n 400 200 7 (15) A 60 ≥10 1 мА ≥10 <1
КТ8124В n–p–n 330 150 7 (15) A 60 ≥10 1 мА ≥10 <1
КТ8127А (1) n–p–n 1500 700 5 (7,5) A 100 ≥35 0,9 мА 2 <1
КТ8127Б (1) n–p–n 1200 700 5 (7,5) A 100 ≥6 0,6 мА 2 <1
КТ8127В (1) n–p–n 1500 700 5 (7,5) A 100 ≥35 0,9 мА 2 <1
КТ8129А n–p–n 1500 700 5 A 100 ≥2,25 4,5 мА ≥4 <4,5
КТ812А n–p–n 700 700 8 (12) A 50 ≥4 5 мА ≥3 <2,5
КТ812Б n–p–n 500 500 8 (12) A 50 ≥4 5 мА ≥3 <2,5
КТ812В n–p–n 300 300 8 (12) A 50 ≥10 5 мА ≥3 <2,5
КТ8130А p–n–p 40 40 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2
КТ8130Б p–n–p 60 60 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2
КТ8130В p–n–p 80 80 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2
КТ8131А n–p–n 40 40 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2
КТ8131Б n–p–n 60 60 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2
КТ8131В n–p–n 80 80 4 A 20 500,15000 0,5 мА ≥25 <2