Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ818ВМ p–n–p 70 70 15 (20) A 2 (100) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ818Г p–n–p 90 90 10 (15) A 1,5 (60) 12,225 1 мА ≥3 <2
КТ818ГМ p–n–p 90 90 15 (20) A 2 (100) 12,225 1 мА ≥3 <2
КТ819А n–p–n 40 40 10 (15) A 1,5 (60) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ819АМ n–p–n 40 40 15 (20) A 2 (100) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ819Б n–p–n 50 50 10 (15) A 1,5 (60) 20, 225 1 мА ≥3 <2
КТ819БМ n–p–n 50 50 15 (20) A 2 (100) 20, 225 1 мА ≥3 <2
КТ819Г n–p–n 100 100 10 (15) A 1,5 (60) 12,225 1 мА ≥3 <2
КТ819ГМ n–p–n 100 100 15 (20) A 2 (100) 12,225 1 мА ≥3 <2
КТ825 p–n–p 90 90 20 (30) A 125 750,18000 1 мА ≥4 <2
КТ825Д p–n–p 60 60 20 (30) A 125 750,18000 1 мА ≥4 <2
КТ825Е p–n–p 30 30 20 (30) A 125 750,18000 1 мА ≥4 <2
КТ826А n–p–n 700 700 1 (1) A 15 10,120 2 мА ≥6 <2,5
КТ826Б n–p–n 700 700 1 (1) A 15 5,300 2 мА ≥6 <2,5
КТ826В n–p–n 700 700 1 (1) A 15 5,120 2 мА ≥6 <2,5
КТ827А n–p–n 100 100 20 (40) A 125 500,18000 3 мА ≥4 <2
КТ827Б n–p–n 80 80 20 (40) A 125 750,18000 3 мА ≥4 <2
КТ827В n–p–n 60 60 20 (40) A 125 750,18000 3 мА ≥4 <2
КТ828А n–p–n 800 800 5 (7,5) A 50 ≥2,25 5 мА ≥4 <3
КТ828Б n–p–n 600 600 5 (7,5) A 50 ≥2,25 5 мА ≥4 <3
КТ829А n–p–n 100 100 8 (12) A 60 ≥750 0,2 мА ≥4 <2
КТ829Б n–p–n 80 80 8 (12) A 60 ≥750 0,2 мА ≥4 <2
КТ829В n–p–n 60 60 8 (12) A 60 ≥750 0,2 мА ≥4 <2
КТ829Г n–p–n 45 45 8 (12) A 60 ≥750 0,2 мА ≥4 <2
КТ834А n–p–n 500 500 15 (20) A 100 ≥150 3 мА ≥4 <2
КТ834Б n–p–n 450 450 15 (20) A 100 ≥150 3 мА ≥4 <2