Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ940А n–p–n 300 300 100 (300) 1,2 (10) ≥25 0,05 90 <1
КТ940Б n–p–n 250 250 100 (300) 1,2 (10) ≥25 0,05 90 <1
КТ940В n–p–n 160 160 100 (300) 1,2 (10) ≥25 0,05 ≥90   <1
КТ945А n–p–n 150 150 15 (25) A 50 10,80 50 мА 51 <2,5
КТ961А n–p–n 100 80 1,5 (2) A 1 (12,5) 40,100 <10 50 <0,5
КТ961Б n–p–n 80 60 1,5 (2) A 1 (12,5) 63,160 10 ≥50 <0,5
КТ961В n–p–n 60 45 1,5 (2) A 1 (12,5) 100,250 10 50 <0,5
КТ972А n–p–n 60 60 4 A 8 ≥750 1 мА ≥200 <1,5
КТ972Б n–p–n 45 45 4 A 8 ≥750 1 мА ≥200 <1,5
КТ973А p–n–p 60 60 4 A 8 ≥750 1 мА ≥200 <1,5
КТ997А n–p–n 45 45 10 (20) A 50 ≥40 10 51 <1
КТ997Б n–p–n 45 45 10 (20) A 50 ≥20 10 51 <1
КТ999А n–p–n 250 250 50 (100) A 1,6 (5) ≥50 0,1 60 <1