Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ879Б n–p–n 200 200 50 (75) A 250 215 5 мА ≥10 <2
КТ886А1 n–p–n 1400 700 10 (15) A 75 – 1 мА ≥5 <1
КТ886Б1 n–p–n 1000 500 10 (15) A 75 – 1 мА ≥5 <1
КТ890А n–p–n 350 350 20 A 120 ≥400 0,5 мА ≥5 <2
КТ890Б n–p–n 350 350 20 A 120 ≥400 0,5 мА 5 <2
КТ890В n–p–n 350 350 20 A 120 ≥400 0,5 мА 5 <2
КТ892А n–p–n 350 350 15 (30) A 100 300, 6000 5 мА ≥10 <1,8
КТ892Б n–p–n 400 400 15 (30) A 100 300,6000 5 мА 10 <1,8
КТ892В n–p–n 300 300 15 (30) A 100 300,6000 5 мА ≥10 <1,8
КТ896А p–n–p 100 50 20 A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ896Б p–n–p 80 40 20 A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ896В p–n–p 60 30 20 A 125 750,18000 2 мА 10 <2
КТ897А n–p–n 350 350 20 (30) A 125 ≥400 250 ≥10 <1,6
КТ897Б n–p–n 200 200 20 (30) A 125 ≥400 250 10 <1,6
КТ898А n–p–n 350 350 30 (30) A 125 ≥400 5 мА 10 <1,6
КТ898АГ n–p–n 350 350 20 (30) A 60 ≥400 5 мА ≥10 <1,6
КТ898Б n–p–n 200 200 20 (30) A 125 ≥400 5 мА 10 <1,8
КТ898Б1 n–p–n 200 200 20 (30) A 60 ≥400 5 мА 10 <1,6
КТ899А n–p–n 160 150 8 (15) A 65 ≥1000 0,5 мА 7 <1,6
КТ903А n–p–n 60 (80) 60 (80) 3 (5) A 30 15,70 10 мА 120 <2,5
КТ903Б n–p–n 60 (80) 60 (80) 3 (5) A 30 40,180 10 мА 120 <2,5
КТ908А n–p–n 100 60 10 A 50 8,60 25 мА ≥30 <2,3
КТ908Б n–p–n 100 60 10 A 50 ≥20 50 мА ≥30 <2,3
КТ9115А p–n–p 300 300 100 (300) 1,2 (10) 25,250 0,05 ≥90 <1
КТ919В n–p–n 70 70 10 (15) A 1,5 (60) 15,225 1 мА ≥3 <2
КТ919ВМ n–p–n 70 70 15 (20) A 2 (100) 15,225 1 мА ≥3 <2