Биполярные транзисторы

Тип Структура U КБО(и)
В		 UКЭО(и)
В		 I к. макс. (и)
мА		 P к. макс. (т)
Вт		 h21э I КБО
мкА		 f гр.
МГц		 К ш.
дБ
КТ834В n–p–n 400 400 15 (20) A 100 ≥150 3 мА ≥4 <2
КТ835А p–n–p 30 30 3 А 25 ≥25 100 ≥1 <0,35
КТ835Б p–n–p 45 45 7,5 A 25 10,100 150 ≥1 <0,35
КТ837А p–n–p 80 80 7,5 A 30 10,40 150 ≥1 <2,5
КТ837Б p–n–p 80 60 7,5 A 30 20,80 150 ≥1 <2,5
КТ837В p–n–p 80 60 7,5 A 30 50,150 150 ≥1 <2,5
КТ837Г p–n–p 60 45 7,5 A 30 10,40 150 ≥1 <0,9
КТ837Д p–n–p 60 45 7,5 A 30 20,80 150 ≥1 <0,9
КТ837Ж p–n–p 45 30 7,5 A 30 10,40 150 ≥1 <0,5
КТ837И p–n–p 45 30 7,5 A 30 20,80 150 ≥1 <0,5
КТ837К p–n–p 45 30 7,5 A 30 50,150 150 ≥1 <0,5
КТ837Л p–n–p 80 60 7,5 A 30 10,40 150 ≥1 <2,5
КТ837М p–n–p 80 60 7,5 A 30 20,80 150 ≥1 <2,5
КТ855Б p–n–p 150 150 5 (8) A 40 ≥20 100 5 <1
КТ855В p–n–p 150 150 5 (8) A 40 ≥15 1 мА ≥5 <1
КТ857А n–p–n 250 250 7 (10) A 60 ≥7,5 5 мА ≥10 <1
КТ858А n–p–n 400 400 7 (10) A 60 ≥10 1 мА ≥10 <1
КТ859А n–p–n 800 800 3 (4) A 40 ≥10 1 мА ≥10 <1,5
КТ863А n–p–n 30 30 10 A 50 ≥100 1 мА ≥4 <0,3
КТ872А n–p–n 700 (1500) 700 (1500) 8 (15) A 100 – 1 мА 7 <1
КТ872Б n–p–n 700 (1500) 700 (1500) 8 (15) A 100 – 1 мА 7 <1
КТ872В n–p–n 600 (1200) 600 (1200) 8 (15) A 100 ≥6 0,6 мА 7 <1
КТ878А n–p–n 500 500 30 (50) A 150 12,50 3 мА 10 <1,5
КТ878Б n–p–n 800 800 30 (50) A 150 12,50 3 мА 10 <1,5
КТ878В n–p–n 800 600 30 (50) A 150 12,50 3 мА 10 <1,5
КТ879А n–p–n 200 200 50 (75) A 250 ≥20 5 мА 10 <1,2